VNQ5160KTR-E STMicroelectronics

VNQ5160KTR-E STMicroelectronicsໃຊ້ເທກໂນໂລຍີ VIPower ຂອງ ST's M0-5 ເພື່ອພັດທະນາ ແລະຜະລິດຊິບໄດເວີແຮງດັນສູງ. ປະ​ກອບ​ດ້ວຍ​ອຸ​ປະ​ກອນ monolithic ທີ່​ມີ​ສີ່​ຕົວ​ຄວບ​ຄຸມ​ການ​ໄລ່​ເອົາ​ອອກ​. ມັນເປັນອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ມີຄວາມຕ້ອງການຂະຫນາດໃຫຍ່ຫຼາຍໃນຕະຫຼາດ. ພວກເຮົາມີຄວາມດີໂດຍສະເພາະການຂາຍອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ຂາດແຄນ, ທັງຫມົດແມ່ນຕົ້ນສະບັບຢູ່ໃນຫຼັກຊັບ, ກະລຸນາຕິດຕໍ່ພວກເຮົາຖ້າທ່ານຕ້ອງການ !!!VNQ5160KTR-E STMicroelectronicsຈາກ XT-ShenZhen

ລາຍ​ລະ​ອຽດ​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ​

ໄດ້VNQ5160KTR-E STMicroelectronicsຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອຂັບລົດການໂຫຼດຕ້ານທານຫຼື inductive ພື້ນຖານຢູ່ຂ້າງຫນຶ່ງ. ອຸປະກອນກວດພົບທັງສະຖານະໂຫຼດເປີດ ແລະເປີດເມື່ອ STAT_DIS ຍັງຄົງເປີດຢູ່ ຫຼືຂັບຕໍ່າ. ຜົນຜະລິດວົງຈອນສັ້ນ VCC ຢູ່ໃນສະພາບທີ່ກວດພົບ. ເມື່ອໄດຣຟ໌ STAT_DIS ສູງ, PIN STATUS ຢູ່ໃນສະຖານະ impedance ສູງ. ຂີດຈຳກັດປັດຈຸບັນຂອງຜົນຜະລິດຈະປົກປ້ອງອຸປະກອນຈາກການໂຫຼດເກີນກຳນົດ. ໃນ​ກໍ​ລະ​ນີ​ຂອງ​ການ​ໃຊ້​ເວ​ລາ​ດົນ​ນານ, overload, ອຸ​ປະ​ກອນ​ຈໍາ​ກັດ​ລະ​ດັບ​ຄວາມ​ປອດ​ໄພ​ຂອງ​ພະ​ລັງ​ງານ dissipated ເພື່ອ​ສາ​ມາດ​ບັນ​ລຸ​ການ​ແຊກ​ແຊງ​ການ​ປິດ​ດ້ວຍ​ຄວາມ​ຮ້ອນ. ການປິດເປີດເຄື່ອງຄວາມຮ້ອນແບບອັດຕະໂນມັດຄືນໃໝ່ຈະເຮັດໃຫ້ອຸປະກອນສາມາດສືບຕໍ່ເຮັດວຽກປົກກະຕິໄດ້ໄວເທົ່າທີ່ຈະໄວໄດ້.

ຄຸນສົມບັດຂອງຜະລິດຕະພັນ

- ການ​ຄຸ້ມ​ຄອງ​ຢ່າງ​ຫ້າວ​ຫັນ​ຂອງ inrush ໃນ​ປະ​ຈຸ​ບັນ​

- ກະແສສະແຕນບາຍຕໍ່າຫຼາຍ

- 3.0 V CMOS ເຂົ້າກັນໄດ້

- ຄວາມອ່ອນໄຫວຂອງແມ່ເຫຼັກໄຟຟ້າຕ່ໍາຫຼາຍ

- ຜົນ​ຜະ​ລິດ​ສະ​ຖາ​ນະ​ພາບ​ເປີດ​ທໍ່​

- ການ​ກວດ​ສອບ​ການ​ໂຫຼດ​ລັດ​ເປີດ​

- ການ​ກວດ​ສອບ​ການ​ໂຫຼດ​ລັດ​ເປີດ​

--Undervoltage shutdown output

--Load ຈຳກັດປັດຈຸບັນ

- ຕົນເອງຈໍາກັດການຖ່າຍທອດຄວາມຮ້ອນໄວ

- ປ້ອງກັນການສູນເສຍດິນ V ແລະຄວາມເສຍຫາຍ

ຕົວກໍານົດການຜະລິດຕະພັນ

ຮູບພາບຜະລິດຕະພັນ

FAQ

ຖາມ: ບໍລິສັດຂອງເຈົ້າຢູ່ໃສ?

A: ບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາໄດ້ລົງທະບຽນຢູ່ໃນ Shenzhen, ຈີນ.

ຖາມ: ເຈົ້າຕ້ອງການໃຫ້ຂ້ອຍລາຄາເທົ່າໃດ?

A: ໃນມື້ເຮັດວຽກ, ຫຼັງຈາກໄດ້ຮັບຂໍ້ມູນຂອງທ່ານ, ໃບສະເຫນີລາຄາຈະຖືກສົ່ງໄປຫາທ່ານພາຍໃນມື້ດຽວກັນ.

ຖາມ: ເຈົ້າຫໍ່ສິນຄ້າຂອງເຈົ້າແນວໃດ?

A: ແຕ່ລະການຂົນສົ່ງຂອງພວກເຮົາແມ່ນສູນຍາກາດສູນຍາກາດແລະບັນຈຸ. ໃຫ້ແນ່ໃຈວ່າບໍ່ມີຄວາມເສຍຫາຍໃນລະຫວ່າງການຂົນສົ່ງ.